Loại RAM: GDDR7
Dung lượng RAM: 32GB
Giao tiếp: PCI Express 5.0
Bus: 512-bit
Xung nhịp cơ bản: Đang cập nhật
Xung nhịp boost: 2580 MHz (Default) / 2610 MHz (OC Mode)
Số nhân CUDA/Core: 21,760
Cổng xuất hình: 2 x HDMI 2.1b, 3 x DisplayPort 2.1b
Độ phân giải tối đa: 7680 x 4320
Nguồn yêu cầu: 1000W
Loại khung được hỗ trợ: E-ATX, ATX, Micro ATX
Thẻ đồ họa được hỗ trợ: tối đa 3 khe
Mô hình cáp Riser: Cáp Riser PCIe 4.0 x16
Khả năng tương thích: PCIe 4.0 trở lên
Trọng lượng: 0,81 kg
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 mang lại băng thông dữ liệu cực lớn.
Hiệu năng đỉnh cao: Tốc độ đọc tuần tự đạt tối đa lên đến 14.900 MB/s và ghi tuần tự lên đến 14.000 MB/s (ở các phiên bản dung lượng lớn).
Tác vụ ngẫu nhiên (IOPS): Đạt tới 2,3 triệu đến 2,4 triệu IOPS, giúp xử lý đa nhiệm và tải mô hình AI cục bộ mượt mà.
Công nghệ lưu trữ: Sử dụng chip nhớ BiCS TLC 3D NAND thế hệ thứ 8 kết hợp công nghệ nCache™ 4.0 và bộ nhớ đệm DRAM Cache riêng biệt.
Dung lượng: Tùy chọn đa dạng, tối đa lên đến 8TB.
Độ bền ghi (TBW): Lên tới 4.800 TBW (cho phiên bản 8TB), tối ưu cho các quy trình công việc ghi dữ liệu liên tục.
Tản nhiệt: Có tùy chọn phiên bản tích hợp khối tản nhiệt nhôm (Heatsink) giúp duy trì hiệu năng bền bỉ gấp nhiều lần, sản phẩm cũng từng đạt giải thưởng thiết kế quốc tế Red Dot Design Award 2026.
Chuẩn giao tiếp: M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (tương thích ngược với các hệ thống hỗ trợ PCIe 3.0 và dùng được cho máy chơi game PS5/PS5 Pro).
Dung lượng lưu trữ: Đa dạng tùy chọn từ 1TB, 2TB, 4TB cho đến tối đa 8TB.
Loại bộ nhớ Flash: Chip nhớ chất lượng cao BiCS TLC 3D NAND của SanDisk.
Tích hợp công nghệ SanDisk nCache 4.0 giúp cải thiện hiệu suất truyền tải và tăng tốc độ xử lý các tác vụ phức tạp.
Hỗ trợ công nghệ tải game trực tiếp Microsoft DirectStorage.
Hỗ trợ mã hóa phần cứng TCG Opal v2.01 bảo mật dữ liệu.
Tản nhiệt: Có 2 phiên bản gồm bản tiêu chuẩn (không tản nhiệt) và bản tích hợp sẵn khối tản nhiệt (Heatsink) giúp hạn chế tối đa hiện tượng bóp băng thông do quá nhiệt.
Độ bền (TBW) & Bảo hành: Cung cấp độ bền ghi dữ liệu lớn (lên tới 4.800 TBW cho bản 8TB) và chế độ bảo hành giới hạn 5 năm từ hãng.
Chuẩn giao tiếp: M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (tương thích ngược với các hệ thống hỗ trợ PCIe 3.0 và dùng được cho máy chơi game PS5/PS5 Pro).
Dung lượng lưu trữ: Đa dạng tùy chọn từ 1TB, 2TB, 4TB cho đến tối đa 8TB.
Loại bộ nhớ Flash: Chip nhớ chất lượng cao BiCS TLC 3D NAND của SanDisk.
Tích hợp công nghệ SanDisk nCache 4.0 giúp cải thiện hiệu suất truyền tải và tăng tốc độ xử lý các tác vụ phức tạp.
Hỗ trợ công nghệ tải game trực tiếp Microsoft DirectStorage.
Hỗ trợ mã hóa phần cứng TCG Opal v2.01 bảo mật dữ liệu.
Tản nhiệt: Có 2 phiên bản gồm bản tiêu chuẩn (không tản nhiệt) và bản tích hợp sẵn khối tản nhiệt (Heatsink) giúp hạn chế tối đa hiện tượng bóp băng thông do quá nhiệt.
Độ bền (TBW) & Bảo hành: Cung cấp độ bền ghi dữ liệu lớn (lên tới 4.800 TBW cho bản 8TB) và chế độ bảo hành giới hạn 5 năm từ hãng.
Chuẩn giao tiếp: M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (tương thích ngược với các hệ thống hỗ trợ PCIe 3.0 và dùng được cho máy chơi game PS5/PS5 Pro).
Dung lượng lưu trữ: Đa dạng tùy chọn từ 1TB, 2TB, 4TB cho đến tối đa 8TB.
Loại bộ nhớ Flash: Chip nhớ chất lượng cao BiCS TLC 3D NAND của SanDisk.
Tích hợp công nghệ SanDisk nCache 4.0 giúp cải thiện hiệu suất truyền tải và tăng tốc độ xử lý các tác vụ phức tạp.
Hỗ trợ công nghệ tải game trực tiếp Microsoft DirectStorage.
Hỗ trợ mã hóa phần cứng TCG Opal v2.01 bảo mật dữ liệu.
Tản nhiệt: Có 2 phiên bản gồm bản tiêu chuẩn (không tản nhiệt) và bản tích hợp sẵn khối tản nhiệt (Heatsink) giúp hạn chế tối đa hiện tượng bóp băng thông do quá nhiệt.
Độ bền (TBW) & Bảo hành: Cung cấp độ bền ghi dữ liệu lớn (lên tới 4.800 TBW cho bản 8TB) và chế độ bảo hành giới hạn 5 năm từ hãng.
Chuẩn giao tiếp: M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (tương thích ngược với các hệ thống hỗ trợ PCIe 3.0 và dùng được cho máy chơi game PS5/PS5 Pro).
Dung lượng lưu trữ: Đa dạng tùy chọn từ 1TB, 2TB, 4TB cho đến tối đa 8TB.
Loại bộ nhớ Flash: Chip nhớ chất lượng cao BiCS TLC 3D NAND của SanDisk.
Tích hợp công nghệ SanDisk nCache 4.0 giúp cải thiện hiệu suất truyền tải và tăng tốc độ xử lý các tác vụ phức tạp.
Hỗ trợ công nghệ tải game trực tiếp Microsoft DirectStorage.
Hỗ trợ mã hóa phần cứng TCG Opal v2.01 bảo mật dữ liệu.
Tản nhiệt: Có 2 phiên bản gồm bản tiêu chuẩn (không tản nhiệt) và bản tích hợp sẵn khối tản nhiệt (Heatsink) giúp hạn chế tối đa hiện tượng bóp băng thông do quá nhiệt.
Độ bền (TBW) & Bảo hành: Cung cấp độ bền ghi dữ liệu lớn (lên tới 4.800 TBW cho bản 8TB) và chế độ bảo hành giới hạn 5 năm từ hãng.